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第七届中国•哈尔滨国际科技成果展览交易会技术需求

      

芯片需求
需求编号:H07-0086    技术领域:装备制造


1. 3"N型<111>硅外延片:电阻率ρ:95~110Ω•cm,外延层厚度T:100~110μm,硅片厚度450~500μm; 2. 4"N型<111>硅外延片:电阻率ρ:95~110Ω•cm,外延层厚度T:100~110μm,硅片厚度450~500μm; 3. 3"N型<111>硅外延片:电阻率ρ:0.2~0.4Ω•cm,外延层厚度T:12~14μm,硅片厚度450~500μm; 4. 4"N型<111>硅外延片:电阻率ρ:0.2~0.4Ω•cm,外延层厚度T:12~14μm,硅片厚度450~500μm; 5. 3"N型<111>硅外延片:电阻率ρ:3.5~5.5Ω•cm,外延层厚度T:15~18μm,硅片厚度450~500μm; 6. 4"N型<111>硅外延片:电阻率ρ:3.5~5.5Ω•cm,外延层厚度T:15~18μm,硅片厚度450~500μm; 7. 3"N型<111>硅外延片:电阻率ρ:9~13Ω•cm,外延层厚度T:38~45μm,硅片厚度450~500μm; 8. 4"N型<111>硅外延片:电阻率ρ:9~13Ω•cm,外延层厚度T:38~45μm,硅片厚度450~500μm; 9. 3"N型<111>硅外延片:电阻率ρ:8~11Ω•cm,外延层厚度T:25~30μm,硅片厚度450~500μm; 10. 4"N型<111>硅外延片:电阻率ρ:8~11Ω•cm,外延层厚度T:25~30μm,硅片厚度450~500μm; 11. 3"N型<111>硅外延片:电阻率ρ:80~90Ω•cm,外延层厚度T:90~110μm,硅片厚度450~500μm; 12. 4"N型<111>硅外延片:电阻率ρ:80~90Ω•cm,外延层厚度T:90~110μm,硅片厚度500μm; 13. 3"N型<111>硅外延片;电阻率ρ:10~13Ω•cm,外延层厚度T:28~32μm,硅片厚度450~500μm; 14. 4"N型<111>硅外延片:电阻率ρ:10~13Ω•cm,外延层厚度T:28~32μm,硅片厚度450~500μm; 15. 3"P型<111>硅外延片: 电阻率ρ:0.4~0.6Ω•cm,外延层厚度T:12~14μm,硅片厚度450~500μm; 16. 4"P型<111>硅外延片:电阻率ρ:0.4~0.6Ω•cm,外延层厚度T:12~14μm,硅片厚度450~500μm;
 
需求单位:哈尔滨晶体管厂
    联系电话:0451- 87052032/13903657269
    E-mail:112272266@qq.com
    联系人:李宗平